茜茜公主
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新聞，三星計劃最早在2021年開始大規模生產3nm工藝芯片。此外，三星還表示，將在今年下半年開始生產7nm的超視距芯片。去年，三星還表示，它將在2020年使用4納米砷化鎵場效應晶體管（gate all around fet）工藝。然而，一些業內人士，包括加納副總裁王國榮（Samuel Wang）對Gaafet芯片能否在2022年投產表示懷疑。盡管臺積電和格羅福德全球鑄造廠在EUV芯片開發方面并沒有
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